آسیب الکتریسیته ساکن به صنعت مدار مجتمع

اول ، جذب الکترواستاتیک ESA (الکترو استاتیک جاذبه) ، باعث آلودگی جدی می شود.
ما می دانیم که فرایند تولید IC نیاز به یک کارگاه تمیز یا یک کارگاه فوق العاده تمیز دارد.با این حال ، تعداد کمی از تولیدکنندگان داخلی می توانند به این نتیجه برسند که هیچ ذره ای در اتاق تمیز وجود ندارد.اکنون لازم است که اندازه ذرات ذرات گرد و غبار از 0.3μm اصلی به 0.1μm فعلی کاهش یابد ، اما اگر اندازه ذرات ذرات جذب شده گرد و غبار بزرگتر از عرض خط باشد ، قراضه محصول آسان است.
گاهی اوقات مشتریان می پرسند ، ما در کل فرآیند تولید ویفر کار خوبی در زمینه حفاظت از الکترواستاتیک انجام داده ایم.ما تمام تجهیزات اتصال زمین را بهم متصل کرده و از تجهیزات ضد الکتریسیته ساکن استفاده کرده ایم و سطح تصفیه نیز بالا است.چرا آن را برای مدتی رها می کنیم؟آیا بعد از آن هنوز خاکستر می مکد؟به این دلیل که ماشین آلات یا کارگاه های تولید ویفر ویفر به فیلترهای FFU با بازده بالا مجهز هستند.هنگامی که جریان هوا به محصول مالش می یابد ، الکتریسیته ساکن تولید می شود.وقتی الکتریسیته ساکن به مقدار مشخصی جمع شود ، گرد و غبار را به خود جلب می کند.بنابراین ، ما برای اطمینان از تعادل دینامیکی کل فضا ، پیشنهاد می کنیم در پایین فیلتر با بازدهی بالا یک استاتیک استاتیک بدون منبع هوا نصب کنید.

دوم ، تخلیه الکترواستاتیک ESD (تخلیه الکترو استاتیک) باعث خرابی دستگاه می شود.
تخلیه الکترواستاتیک فرآیند تجمع بار است.هنگامی که بار به یک سطح خاص جمع می شود ، هنگامی که یک هادی به آن نزدیک می شود ، تخلیه الکترواستاتیک رخ می دهد.برای مثال یک مثال ساده ، در زمستان خشک ، مردم پس از راه رفتن و مالش به راحتی می توانند الکتریسیته ساکن را جمع کنند.وقتی یک دسته فلزی را لمس می کنیم یا درب اتومبیل را باز می کنیم ، شوک الکتریکی خواهیم داشت.این تخلیه الکترواستاتیک است.به طور کلی ، بدن انسان دارای 3000 است هنگامی که الکتریسیته ساکن 5000 ولت باشد ، تخلیه واضحی وجود خواهد داشت.
همین امر در مورد اجزای نیمه هادی صدق می کند.اگر یک دستگاه نیمه هادی با مقدار مشخصی از الکتریسیته ساکن به تنهایی یا درون ماژول مدار قرار گیرد ، بلافاصله خراب می شود.بعد از اینکه دستگاه تحت تأثیر تخلیه الکترواستاتیک قرار گرفت ، ممکن است بلافاصله از نظر عملکرد آسیب نبیند ، اما بر قابلیت اطمینان قطعه تأثیر می گذارد.

تلفات ناشی از تخلیه الکترواستاتیک می تواند به میلیاردها دلار در سال برسد.بنابراین ، بسیاری از تولیدکنندگان قطعات و تجهیزات در مقیاس بزرگ ، فناوری حرفه ای را برای کاهش تجمع الکتریسیته ساکن در محیط تولید معرفی می کنند.
سوم ، تداخل الکترونیکی EMI (تداخل الکترو مغناطیسی) باعث آسیب می شود.
تخلیه الکترواستاتیک باعث تابش بسیاری از امواج رادیویی می شود و این امواج رادیویی دارای فرکانس هایی هستند که باعث تداخل بزرگ در ریز پردازنده های اطراف می شود ، مانند دستورالعمل های هرج و مرج برنامه ، داده های بی نظم ، پیام های خطای ناشناخته و غیره ، و این مشکلات به طور کلی مورد بررسی قرار نمی گیرند به طور جدی ، اما به محض بروز سو عملکرد ، آسیب آن بسیار زیاد خواهد بود.